دانلو پاورپوینت آماده درسی و دانشگاهی

نام فایل : مراحل ساخت

فرمت : .ppt

تعداد صفحه/اسلاید : 22

حجم : 1482 کیلوبایت

بنام خدا
مراحل ساخت
مراحل ساخت
مراحل ساخت خانواده های مختلف گیت های منطقی متفاوت است. در اینجا مراحل ساخت CMOS بعنوان نمونه توضیح داده میشود.
ماده اولیه ساخت مدارات مجتمع سیلیکون
خالص است که بصورت تک کریستالی رشد
داده میشود. استوانه حاصل گاهی تا 100
کیلوگرم وزن دارد.
این استوانه به ورقه های نازکی بریده میشود
که ویفر نامیده میشوند. قطر ویفرها 200 تا 300 میلیمتر و ضخامت آنها 1 میلیمتراست.

مراحل ساخت CMOS
ویفر سیلیکونی با افزودن ناخالصی به ویفر نوع P تغییر داده میشود. اینکار به روشهای مختلفی انجام میشود:
ion implantation or solid-state diffusion, oxidation
در مراحل مختلف ساخت، لایه های مختلفی نظیر عایقها، پلی سیلیکون و سیمها بر روی ویفر نشانده میشوند.
طرح های لازم برای ساخت قسمت های مختلف ترانزیستور و یا سیمها از طریق فرایندی با نام فتو لیتوگرافی تولید میشوند.
مراحل اصلی ا فرایند ساخت مدارات مجتمع را میتوان بصورت زیر عنوان نمود:
Ion Implantation (Diffusion)
Oxidation
Thin Film Deposition (Polysilicon, Metal, Silicon Dioxide, Silicon Nitride)
Etching
Pattern Transfer by Photolithography
سطح مقطع یک ترانزیستور CMOS
مراحل ساخت CMOS
برای ساخت یک گیت CMOS باید هر دو نوع ترانزیستور NMOS و PMOS بر روی یک ویفر ساخته شوند. از اینرو اگر برای مثال از ویفر p استفاده شود، ترانزیستور NMOS بر روی ویفر و ترانزیستور PMOS در ناحیه ای ساخته میشود که N-well نامیده میشود.
....